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RENESAS NP28N10SDE-E1-AY
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | NP28N10SDE-E1-AY |
| EBEE部品番号 | E87321212 |
| パッケージ | TO-252 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 100V 28A 52mΩ@10V,14A 2.5V@250uA 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $4.2421 | $ 4.2421 |
| 200+ | $1.6940 | $ 338.8000 |
| 500+ | $1.6374 | $ 818.7000 |
| 1000+ | $1.6082 | $ 1608.2000 |
おすすめ
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | トランジスタ/スズリ ,MOSFET | |
| データシート | RENESAS NP28N10SDE-E1-AY | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -40℃~+175℃ | |
| タイプ | 1 N-channel | |
| 排水源電圧(Vdss) | 100V | |
| 連続的な排水の流れ(Id) | 28A | |
| 抵抗の排水源(RDS(on)@Vgs、Id) | 52mΩ@10V,14A | |
| パワーディシパテーション(Pd) | 1.2W;100W | |
| ゲートのしきい値電圧(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA | |
| 入力容量(Ciss@Vds) | 3.3nF@25V | |
| トータルゲートチャージ(Qg@Vgs) | 75nC@10V |
ショッピングガイド
展開
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $4.2421 | $ 4.2421 |
| 200+ | $1.6940 | $ 338.8000 |
| 500+ | $1.6374 | $ 818.7000 |
| 1000+ | $1.6082 | $ 1608.2000 |
