Recommonended For You
- ホーム /
- 商品 /
- トランジスタ/スズリ /
- MOSFET /
- RENESAS NP160N055TUJ-E1-AY
画像は参考のみです
お気に入りに追加
RENESAS NP160N055TUJ-E1-AY
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | NP160N055TUJ-E1-AY |
| EBEE部品番号 | E87321208 |
| パッケージ | TO-263-6 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 55V 160A 3mΩ@10V,80A 4V@250uA 1 N-channel TO-263-6 MOSFETs ROHS |
この材料はカスタムケーブルをサポートしています！
もっと見る >>在庫あり : お問い合わせください
RFQを送信してください。すぐに対応します。
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $8.6143 | $ 8.6143 |
| 200+ | $3.4384 | $ 687.6800 |
| 500+ | $3.3234 | $ 1661.7000 |
| 1000+ | $3.2659 | $ 3265.9000 |
おすすめ
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | トランジスタ/スズリ ,MOSFET | |
| データシート | RENESAS NP160N055TUJ-E1-AY | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -40℃~+175℃ | |
| タイプ | 1 N-channel | |
| 排水源電圧(Vdss) | 55V | |
| 連続的な排水の流れ(Id) | 160A | |
| 抵抗の排水源(RDS(on)@Vgs、Id) | 3mΩ@10V,80A | |
| パワーディシパテーション(Pd) | 1.8W;250W | |
| ゲートのしきい値電圧(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | |
| 入力容量(Ciss@Vds) | 10.35nF@25V | |
| トータルゲートチャージ(Qg@Vgs) | 180nC@10V |
ショッピングガイド
展開
在庫あり : お問い合わせください
RFQを送信してください。すぐに対応します。
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $8.6143 | $ 8.6143 |
| 200+ | $3.4384 | $ 687.6800 |
| 500+ | $3.3234 | $ 1661.7000 |
| 1000+ | $3.2659 | $ 3265.9000 |
