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RENESAS NP100P04PDG-E1-AY
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | NP100P04PDG-E1-AY |
| EBEE部品番号 | E83281533 |
| パッケージ | TO-263 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 40V 100A 3.5mΩ@10V,50A 200W 1V@1mA 1 Piece P-Channel TO-263 MOSFETs ROHS |
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $3.6752 | $ 3.6752 |
| 10+ | $3.5832 | $ 35.8320 |
| 30+ | $3.5228 | $ 105.6840 |
| 100+ | $3.4610 | $ 346.1000 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | トランジスタ/スズリ ,MOSFET | |
| データシート | RENESAS NP100P04PDG-E1-AY | |
| RoHS | ||
| タイプ | P-Channel | |
| RDS(オン) | 5.1mΩ@4.5V | |
| 動作温度 - | -55℃~+175℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 1.13nF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 200W | |
| Drain to Source Voltage | 40V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 100A | |
| Ciss-Input Capacitance | 15.1nF | |
| Gate Charge(Qg) | 320nC@32V |
ショッピングガイド
展開
16 Stock for Shipping Fast
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $3.6752 | $ 3.6752 |
| 10+ | $3.5832 | $ 35.8320 |
| 30+ | $3.5228 | $ 105.6840 |
| 100+ | $3.4610 | $ 346.1000 |
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