| メーカー | |
| メーカー部品番号 | P3D12010T2 |
| EBEE部品番号 | E87023105 |
| パッケージ | TO-220-2 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| 説明 | 1.2kV 31A TO-220-2 SiC Diodes ROHS |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $10.8676 | $ 10.8676 |
| 200+ | $4.3360 | $ 867.2000 |
| 500+ | $4.1913 | $ 2095.6500 |
| 1000+ | $4.1199 | $ 4119.9000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | 炭化ケイ素(SiC)デバイス ,SiCダイオード | |
| データシート | PN Junction Semiconductor P3D12010T2 | |
| RoHS | ||
| 逆の漏出流れ(Ir) | 50uA@650V | |
| 逆電圧(Vr) | 1.2kV | |
| 修正電流(Io) | 31A |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $10.8676 | $ 10.8676 |
| 200+ | $4.3360 | $ 867.2000 |
| 500+ | $4.1913 | $ 2095.6500 |
| 1000+ | $4.1199 | $ 4119.9000 |
