| メーカー | |
| メーカー部品番号 | P3D12005E2 |
| EBEE部品番号 | E86729723 |
| パッケージ | TO-252-2 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| 説明 | 1.2kV 19A TO-252-2 SiC Diodes ROHS |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $8.5486 | $ 8.5486 |
| 200+ | $3.4108 | $ 682.1600 |
| 500+ | $3.2975 | $ 1648.7500 |
| 1000+ | $3.2417 | $ 3241.7000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | 炭化ケイ素(SiC)デバイス ,SiCダイオード | |
| データシート | PN Junction Semiconductor P3D12005E2 | |
| RoHS | ||
| 逆の漏出流れ(Ir) | 44uA@650V | |
| 逆電圧(Vr) | 1.2kV | |
| 修正電流(Io) | 19A |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $8.5486 | $ 8.5486 |
| 200+ | $3.4108 | $ 682.1600 |
| 500+ | $3.2975 | $ 1648.7500 |
| 1000+ | $3.2417 | $ 3241.7000 |
