| メーカー | |
| メーカー部品番号 | P3D06006I2 |
| EBEE部品番号 | E85823470 |
| パッケージ | TO-220I-2 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| 説明 | 650V 18A TO-220I-2 SiC Diodes ROHS |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $4.1561 | $ 4.1561 |
| 200+ | $1.6590 | $ 331.8000 |
| 500+ | $1.6032 | $ 801.6000 |
| 1000+ | $1.5754 | $ 1575.4000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | 炭化ケイ素(SiC)デバイス ,SiCダイオード | |
| データシート | PN Junction Semiconductor P3D06006I2 | |
| RoHS | ||
| 逆の漏出流れ(Ir) | 30uA@650V | |
| 逆電圧(Vr) | 650V | |
| 修正電流(Io) | 18A |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $4.1561 | $ 4.1561 |
| 200+ | $1.6590 | $ 331.8000 |
| 500+ | $1.6032 | $ 801.6000 |
| 1000+ | $1.5754 | $ 1575.4000 |
