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onsemi FGA6560WDF
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | FGA6560WDF |
| EBEE部品番号 | E8444007 |
| パッケージ | TO-3PN |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | TO-3PN IGBT Transistors / Modules ROHS |
この材料はカスタムケーブルをサポートしています！
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378 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $3.2109 | $ 3.2109 |
| 10+ | $2.7721 | $ 27.7210 |
| 30+ | $2.1819 | $ 65.4570 |
| 90+ | $1.9174 | $ 172.5660 |
| 510+ | $1.7951 | $ 915.5010 |
| 1200+ | $1.7400 | $ 2088.0000 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Transistors/Thyristors ,IGBT Transistors / Modules | |
| データシート | onsemi FGA6560WDF | |
| RoHS | ||
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces) | 650V | |
| Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic) | 4.1V@60mA | |
| Pd - Power Dissipation | 306W | |
| IGBT Type | FS (Field Stop) | |
| Gate Charge(Qg) | 84nC@15V | |
| Td(off) | 71ns | |
| Td(on) | 25.6ns | |
| Reverse Transfer Capacitance (Cres) | 31pF | |
| Reverse Recovery Time(trr) | 110ns | |
| Switching Energy(Eoff) | 520uJ | |
| Turn-On Energy (Eon) | 2.46mJ | |
| Input Capacitance(Cies) | 2.419nF | |
| Pulsed Current- Forward(Ifm) | 120A | |
| Output Capacitance(Coes) | 82pF |
ショッピングガイド
展開
378 Stock for Shipping Fast
378 available for immediate shipping1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $3.2109 | $ 3.2109 |
| 10+ | $2.7721 | $ 27.7210 |
| 30+ | $2.1819 | $ 65.4570 |
| 90+ | $1.9174 | $ 172.5660 |
| 510+ | $1.7951 | $ 915.5010 |
| 1200+ | $1.7400 | $ 2088.0000 |
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