| メーカー | |
| メーカー部品番号 | NP8205MR |
| EBEE部品番号 | E82888099 |
| パッケージ | SOT-23-6L |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | 20V 6.5A 23.7mΩ@2.5V,5.5A 1W 500mV@250uA SOT-23-6 MOSFETs ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0442 | $ 0.4420 |
| 100+ | $0.0358 | $ 3.5800 |
| 300+ | $0.0316 | $ 9.4800 |
| 3000+ | $0.0285 | $ 85.5000 |
| 6000+ | $0.0259 | $ 155.4000 |
| 9000+ | $0.0247 | $ 222.3000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | NATLINEAR NP8205MR | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 27mΩ@2.5V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 55pF | |
| Number | 2 N-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.5W | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 6.5A | |
| Ciss-Input Capacitance | 430pF | |
| Gate Charge(Qg) | 6.4nC |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0442 | $ 0.4420 |
| 100+ | $0.0358 | $ 3.5800 |
| 300+ | $0.0316 | $ 9.4800 |
| 3000+ | $0.0285 | $ 85.5000 |
| 6000+ | $0.0259 | $ 155.4000 |
| 9000+ | $0.0247 | $ 222.3000 |
