| メーカー | |
| メーカー部品番号 | JAN2N2222AUB/TR |
| EBEE部品番号 | E83202272 |
| パッケージ | SMD-3P |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 50V 500mW 100@150mA,10V 800mA NPN SMD-3P Bipolar (BJT) ROHS |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $16.0443 | $ 16.0443 |
| 200+ | $6.2087 | $ 1241.7400 |
| 500+ | $5.9905 | $ 2995.2500 |
| 1000+ | $5.8840 | $ 5884.0000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| データシート | MICROCHIP JAN2N2222AUB/TR | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| コレクター電流(Ic) | 800mA | |
| パワーディシパテーション(Pd) | 500mW | |
| コレクターカットオフ電流(Icbo) | 50nA | |
| コレクターエミッター故障電圧(Vceo) | 50V | |
| DC電流(hFE@Ic,Vce) | 100@150mA,10V | |
| トランジション周波数(fT) | - | |
| コレクターエミッタ飽和電圧(VCE(sat)@Ic、Ib) | 1V@500mA,50mA | |
| トランジスタタイプ | NPN |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $16.0443 | $ 16.0443 |
| 200+ | $6.2087 | $ 1241.7400 |
| 500+ | $5.9905 | $ 2995.2500 |
| 1000+ | $5.8840 | $ 5884.0000 |
