| メーカー | |
| メーカー部品番号 | APTM20DAM08TG |
| EBEE部品番号 | E85948973 |
| パッケージ | - |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 200V 208A 10mΩ@10V,104A 781W 5V@5mA 1 N-channel MOSFETs ROHS |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $283.4728 | $ 283.4728 |
| 200+ | $113.1083 | $ 22621.6600 |
| 500+ | $109.3285 | $ 54664.2500 |
| 1000+ | $107.4605 | $ 107460.5000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | MICROCHIP APTM20DAM08TG | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| タイプ | 1 N-channel | |
| 排水源電圧(Vdss) | 200V | |
| 連続的な排水の流れ(Id) | 208A | |
| 抵抗の排水源(RDS(on)@Vgs、Id) | 10mΩ@10V,104A | |
| パワーディシパテーション(Pd) | 781W | |
| ゲートのしきい値電圧(Vgs(th)@Id) | 5V@5mA | |
| 入力容量(Ciss@Vds) | 14.4nF@25V | |
| トータルゲートチャージ(Qg@Vgs) | 280nC@10V |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $283.4728 | $ 283.4728 |
| 200+ | $113.1083 | $ 22621.6600 |
| 500+ | $109.3285 | $ 54664.2500 |
| 1000+ | $107.4605 | $ 107460.5000 |
