RFQを送信してください。すぐに対応します。
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $1,007.2221 | $ 1007.2221 |
| 200+ | $401.8883 | $ 80377.6600 |
| 500+ | $388.4585 | $ 194229.2500 |
| 1000+ | $381.8237 | $ 381823.7000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| タイプ | 2 N-Channel | |
| 設定 | Half Bridge | |
| 排水源電圧(Vdss) | 600V | |
| 連続的な排水の流れ(Id) | 143A | |
| 抵抗の排水源(RDS(on)@Vgs、Id) | 18mΩ@10V,71.5A | |
| パワーディシパテーション(Pd) | 833W | |
| ゲートのしきい値電圧(Vgs(th)@Id) | 3.9V@4mA | |
| 入力容量(Ciss@Vds) | 28nF@25V | |
| トータルゲートチャージ(Qg@Vgs) | 1.036uC@10V |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $1,007.2221 | $ 1007.2221 |
| 200+ | $401.8883 | $ 80377.6600 |
| 500+ | $388.4585 | $ 194229.2500 |
| 1000+ | $381.8237 | $ 381823.7000 |
