RFQを送信してください。すぐに対応します。
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $186.0599 | $ 186.0599 |
| 200+ | $74.2404 | $ 14848.0800 |
| 500+ | $71.7600 | $ 35880.0000 |
| 1000+ | $70.5336 | $ 70533.6000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| タイプ | 1 N-channel | |
| 排水源電圧(Vdss) | 800V | |
| 連続的な排水の流れ(Id) | 60A | |
| 抵抗の排水源(RDS(on)@Vgs、Id) | 110mΩ@10V,43A | |
| パワーディシパテーション(Pd) | 960W | |
| ゲートのしきい値電圧(Vgs(th)@Id) | 5V@5mA | |
| 入力容量(Ciss@Vds) | 17.55nF@25V | |
| トータルゲートチャージ(Qg@Vgs) | 570nC@10V |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $186.0599 | $ 186.0599 |
| 200+ | $74.2404 | $ 14848.0800 |
| 500+ | $71.7600 | $ 35880.0000 |
| 1000+ | $70.5336 | $ 70533.6000 |
