| メーカー | |
| メーカー部品番号 | APT50GS60BRDQ2G |
| EBEE部品番号 | E83193674 |
| パッケージ | TO-247-3 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 415W 93A 600V NPT (non-penetrating type) TO-247-3 IGBT Transistors / Modules ROHS |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $19.9551 | $ 19.9551 |
| 10+ | $19.1603 | $ 191.6030 |
| 30+ | $17.7833 | $ 533.4990 |
| 90+ | $16.5838 | $ 1492.5420 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | トランジスタ/スズリ ,IGBTトランジスタ/モジュール | |
| データシート | Microchip Tech APT50GS60BRDQ2G | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| タイプ | NPT (non-penetrating type) | |
| コレクター電流(Ic) | 93A | |
| パワーディシパテーション(Pd) | 415W | |
| ターン?オフ遅延時間(Td(オフ)) | 225ns | |
| ターン?遅延時間(Td(on)) | 16ns | |
| コレクター-エミッター故障電圧(Vces) | 600V | |
| 入力容量(Cies@Vce) | - | |
| ゲートエミッター スレホールド電圧(Vge(th)@Ic) | 3.15V@15V,50A | |
| トータルゲートチャージ(Qg@Ic,Vge) | 235nC | |
| ダイオードの逆の回復時間(Trr) | 25ns | |
| ターン?オフスイッチング損失(Eoff) | 0.755mJ | |
| ターン?スイッチング損失(Eon) | - |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $19.9551 | $ 19.9551 |
| 10+ | $19.1603 | $ 191.6030 |
| 30+ | $17.7833 | $ 533.4990 |
| 90+ | $16.5838 | $ 1492.5420 |
