| メーカー | |
| メーカー部品番号 | APT32M80J |
| EBEE部品番号 | E85588972 |
| パッケージ | SOT-227B-4 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 800V 33A 543W 190mΩ@10V,24A [email protected] 1 N-channel SOT-227B-4 MOSFETs ROHS |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $101.7169 | $ 101.7169 |
| 200+ | $40.5867 | $ 8117.3400 |
| 500+ | $39.2310 | $ 19615.5000 |
| 1000+ | $38.5602 | $ 38560.2000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | MICROCHIP APT32M80J | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| タイプ | 1 N-channel | |
| 排水源電圧(Vdss) | 800V | |
| 連続的な排水の流れ(Id) | 33A | |
| 抵抗の排水源(RDS(on)@Vgs、Id) | 190mΩ@10V,24A | |
| パワーディシパテーション(Pd) | 543W | |
| ゲートのしきい値電圧(Vgs(th)@Id) | [email protected] | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 159pF@800V | |
| 入力容量(Ciss@Vds) | 9326pF@800V | |
| トータルゲートチャージ(Qg@Vgs) | 303nC@10V |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $101.7169 | $ 101.7169 |
| 200+ | $40.5867 | $ 8117.3400 |
| 500+ | $39.2310 | $ 19615.5000 |
| 1000+ | $38.5602 | $ 38560.2000 |
