| メーカー | |
| メーカー部品番号 | 2N3767 |
| EBEE部品番号 | E83201415 |
| パッケージ | TO-66(TO-213AA) |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 80V 25W 40@500mA,5V NPN TO-66(TO-213AA) Bipolar (BJT) ROHS |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $81.0359 | $ 81.0359 |
| 200+ | $31.3611 | $ 6272.2200 |
| 500+ | $30.2574 | $ 15128.7000 |
| 1000+ | $29.7145 | $ 29714.5000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| データシート | MICROCHIP 2N3767 | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| コレクター電流(Ic) | - | |
| パワーディシパテーション(Pd) | 25W | |
| コレクターカットオフ電流(Icbo) | 500uA | |
| コレクターエミッター故障電圧(Vceo) | 80V | |
| DC電流(hFE@Ic,Vce) | 40@500mA,5V | |
| トランジション周波数(fT) | - | |
| コレクターエミッタ飽和電圧(VCE(sat)@Ic、Ib) | 2.5V@1A,100mA | |
| トランジスタタイプ | NPN |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $81.0359 | $ 81.0359 |
| 200+ | $31.3611 | $ 6272.2200 |
| 500+ | $30.2574 | $ 15128.7000 |
| 1000+ | $29.7145 | $ 29714.5000 |
