| メーカー | |
| メーカー部品番号 | 2N1893 |
| EBEE部品番号 | E83201376 |
| パッケージ | TO-5 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 80V 800mW 40@150mA,10V 500mA NPN TO-5 Bipolar (BJT) ROHS |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $82.9488 | $ 82.9488 |
| 200+ | $32.1011 | $ 6420.2200 |
| 500+ | $30.9725 | $ 15486.2500 |
| 1000+ | $30.4153 | $ 30415.3000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| データシート | MICROCHIP 2N1893 | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -55℃~+200℃@(Tj) | |
| コレクター電流(Ic) | 500mA | |
| パワーディシパテーション(Pd) | 800mW | |
| コレクターカットオフ電流(Icbo) | 10nA | |
| コレクターエミッター故障電圧(Vceo) | 80V | |
| DC電流(hFE@Ic,Vce) | 40@150mA,10V | |
| トランジション周波数(fT) | - | |
| コレクターエミッタ飽和電圧(VCE(sat)@Ic、Ib) | 5V@150mA,15mA | |
| トランジスタタイプ | NPN |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $82.9488 | $ 82.9488 |
| 200+ | $32.1011 | $ 6420.2200 |
| 500+ | $30.9725 | $ 15486.2500 |
| 1000+ | $30.4153 | $ 30415.3000 |
