| メーカー | |
| メーカー部品番号 | 2N1480 |
| EBEE部品番号 | E83201366 |
| パッケージ | TO-5 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 55V 1W 20@200mA,4V 1.5A NPN TO-5 Bipolar (BJT) ROHS |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $75.5654 | $ 75.5654 |
| 200+ | $29.2443 | $ 5848.8600 |
| 500+ | $28.2169 | $ 14108.4500 |
| 1000+ | $27.7076 | $ 27707.6000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| データシート | MICROCHIP 2N1480 | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| コレクター電流(Ic) | 1.5A | |
| パワーディシパテーション(Pd) | 1W | |
| コレクターカットオフ電流(Icbo) | 5uA | |
| コレクターエミッター故障電圧(Vceo) | 55V | |
| DC電流(hFE@Ic,Vce) | 20@200mA,4V | |
| トランジション周波数(fT) | - | |
| コレクターエミッタ飽和電圧(VCE(sat)@Ic、Ib) | 750mV@200mA,20mA | |
| トランジスタタイプ | NPN |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $75.5654 | $ 75.5654 |
| 200+ | $29.2443 | $ 5848.8600 |
| 500+ | $28.2169 | $ 14108.4500 |
| 1000+ | $27.7076 | $ 27707.6000 |
