| メーカー | |
| メーカー部品番号 | ME08N20-G |
| EBEE部品番号 | E8709728 |
| パッケージ | TO-252-3 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 200V 9A 350mΩ@10V,5A 74.9W 4V@250uA 1 N-channel TO-252-3 MOSFETs ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3182 | $ 1.5910 |
| 50+ | $0.2528 | $ 12.6400 |
| 150+ | $0.2248 | $ 33.7200 |
| 500+ | $0.1899 | $ 94.9500 |
| 2500+ | $0.1743 | $ 435.7500 |
| 5000+ | $0.1650 | $ 825.0000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | トランジスタ/スズリ ,MOSFET | |
| データシート | MATSUKI ME08N20-G | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| タイプ | 1 N-channel | |
| 排水源電圧(Vdss) | 200V | |
| 連続的な排水の流れ(Id) | 9A | |
| 抵抗の排水源(RDS(on)@Vgs、Id) | 350mΩ@10V,5A | |
| パワーディシパテーション(Pd) | 74.9W | |
| ゲートのしきい値電圧(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 21pF@25V | |
| 入力容量(Ciss@Vds) | 2.61nF@25V | |
| トータルゲートチャージ(Qg@Vgs) | 51.7nC@10V |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3182 | $ 1.5910 |
| 50+ | $0.2528 | $ 12.6400 |
| 150+ | $0.2248 | $ 33.7200 |
| 500+ | $0.1899 | $ 94.9500 |
| 2500+ | $0.1743 | $ 435.7500 |
| 5000+ | $0.1650 | $ 825.0000 |
