| メーカー | |
| メーカー部品番号 | LSI1012LT1G |
| EBEE部品番号 | E8136183 |
| パッケージ | SOT-23 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 20V 400mA 225mW 0.7Ω@1.8V,350mA 900mV@250uA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0308 | $ 0.6160 |
| 200+ | $0.0240 | $ 4.8000 |
| 600+ | $0.0202 | $ 12.1200 |
| 3000+ | $0.0180 | $ 54.0000 |
| 9000+ | $0.0160 | $ 144.0000 |
| 21000+ | $0.0149 | $ 312.9000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | トランジスタ/スズリ ,MOSFET | |
| データシート | LRC LSI1012LT1G | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 1.25Ω@1.8V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | - | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 225mW | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 900mV | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 500mA | |
| Ciss-Input Capacitance | - | |
| Output Capacitance(Coss) | - | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected],10V |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0308 | $ 0.6160 |
| 200+ | $0.0240 | $ 4.8000 |
| 600+ | $0.0202 | $ 12.1200 |
| 3000+ | $0.0180 | $ 54.0000 |
| 9000+ | $0.0160 | $ 144.0000 |
| 21000+ | $0.0149 | $ 312.9000 |
