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LGE LGE3D20120H
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | LGE3D20120H |
| EBEE部品番号 | E85358474 |
| パッケージ | TO-247-2L |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | 1.2kV Independent Type 1.45V 20A TO-247-2L SiC Diodes ROHS |
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | 炭化ケイ素(SiC)デバイス ,SiCダイオード | |
| データシート | LGE LGE3D20120H | |
| RoHS | ||
| 逆の漏出流れ(Ir) | 200uA@1200V | |
| ダイオード構成 | Independent | |
| 電圧 - DC 逆(Vr)(最大) | 1.2kV | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.45V | |
| Current - Rectified | 20A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
ショッピングガイド
展開
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