| メーカー | |
| メーカー部品番号 | KY2004KNC |
| EBEE部品番号 | E83029285 |
| パッケージ | DFN1006-3L |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | 20V 660mA 650mΩ@4.5V,0.15A 150mW 650mV@250uA 1 Piece P-Channel DFN-3L(1x0.6) MOSFETs ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0298 | $ 0.5960 |
| 200+ | $0.0234 | $ 4.6800 |
| 600+ | $0.0198 | $ 11.8800 |
| 2000+ | $0.0177 | $ 35.4000 |
| 10000+ | $0.0151 | $ 151.0000 |
| 20000+ | $0.0141 | $ 282.0000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | トランジスタ/スズリ ,MOSFET | |
| データシート | KY KY2004KNC | |
| RoHS | ||
| タイプ | P-Channel | |
| RDS(オン) | 1.7Ω@1.8V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 9pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 150mW | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 660mA | |
| Ciss-Input Capacitance | 113pF |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0298 | $ 0.5960 |
| 200+ | $0.0234 | $ 4.6800 |
| 600+ | $0.0198 | $ 11.8800 |
| 2000+ | $0.0177 | $ 35.4000 |
| 10000+ | $0.0151 | $ 151.0000 |
| 20000+ | $0.0141 | $ 282.0000 |
