| メーカー | |
| メーカー部品番号 | FQD2N65SE |
| EBEE部品番号 | E842404739 |
| パッケージ | TO-252 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | TO-252 MOSFETs ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0899 | $ 0.4495 |
| 50+ | $0.0711 | $ 3.5550 |
| 150+ | $0.0617 | $ 9.2550 |
| 500+ | $0.0546 | $ 27.3000 |
| 2500+ | $0.0490 | $ 122.5000 |
| 5000+ | $0.0461 | $ 230.5000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | トランジスタ/スズリ ,MOSFET | |
| データシート | KTP FQD2N65SE | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| 設定 | - | |
| RDS(オン) | 4.8Ω@10V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 7pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 40W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 2A | |
| Ciss-Input Capacitance | 350pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 50pF | |
| Gate Charge(Qg) | 110nC@10V |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0899 | $ 0.4495 |
| 50+ | $0.0711 | $ 3.5550 |
| 150+ | $0.0617 | $ 9.2550 |
| 500+ | $0.0546 | $ 27.3000 |
| 2500+ | $0.0490 | $ 122.5000 |
| 5000+ | $0.0461 | $ 230.5000 |
