| メーカー | |
| メーカー部品番号 | FQD10N65SE |
| EBEE部品番号 | E842404734 |
| パッケージ | TO-252 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | TO-252 MOSFETs ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1916 | $ 0.9580 |
| 50+ | $0.1673 | $ 8.3650 |
| 150+ | $0.1569 | $ 23.5350 |
| 500+ | $0.1439 | $ 71.9500 |
| 2500+ | $0.1382 | $ 345.5000 |
| 5000+ | $0.1347 | $ 673.5000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | トランジスタ/スズリ ,MOSFET | |
| データシート | KTP FQD10N65SE | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| 設定 | - | |
| RDS(オン) | 900mΩ@10V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 18pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 45W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 10A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.5nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 194pF | |
| Gate Charge(Qg) | 35nC@10V |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1916 | $ 0.9580 |
| 50+ | $0.1673 | $ 8.3650 |
| 150+ | $0.1569 | $ 23.5350 |
| 500+ | $0.1439 | $ 71.9500 |
| 2500+ | $0.1382 | $ 345.5000 |
| 5000+ | $0.1347 | $ 673.5000 |
