| メーカー | |
| メーカー部品番号 | IV2Q12160D7Z |
| EBEE部品番号 | E822368199 |
| パッケージ | TO-263-7 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | None |
| 説明 | TO-263-7 MOSFETs ROHS |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $6.4252 | $ 6.4252 |
| 10+ | $6.2704 | $ 62.7040 |
| 30+ | $6.1677 | $ 185.0310 |
| 100+ | $6.0650 | $ 606.5000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | トランジスタ/スズリ ,MOSFET | |
| データシート | InventChip IV2Q12160D7Z | |
| RoHS | ||
| RDS(オン) | 208mΩ | |
| 動作温度 - | -55℃~+175℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 2.5pF | |
| Pd - Power Dissipation | 136W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 20A | |
| Ciss-Input Capacitance | 580pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 35pF | |
| Gate Charge(Qg) | 29nC |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $6.4252 | $ 6.4252 |
| 10+ | $6.2704 | $ 62.7040 |
| 30+ | $6.1677 | $ 185.0310 |
| 100+ | $6.0650 | $ 606.5000 |
