| メーカー | |
| メーカー部品番号 | IV2Q12017T4Z |
| EBEE部品番号 | E822368200 |
| パッケージ | TO-247-4 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | None |
| 説明 | TO-247-4 MOSFETs ROHS |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $28.9390 | $ 28.9390 |
| 30+ | $27.9356 | $ 838.0680 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | トランジスタ/スズリ ,MOSFET | |
| データシート | InventChip IV2Q12017T4Z | |
| RoHS | ||
| RDS(オン) | 22mΩ | |
| 動作温度 - | -55℃~+175℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 16.3pF | |
| Pd - Power Dissipation | 469W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 118A | |
| Ciss-Input Capacitance | 4.41nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 211pF | |
| Gate Charge(Qg) | 214nC |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $28.9390 | $ 28.9390 |
| 30+ | $27.9356 | $ 838.0680 |
