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InventChip IV2Q12017T4Z


メーカー
メーカー部品番号
IV2Q12017T4Z
EBEE部品番号
E822368200
パッケージ
TO-247-4
顧客番号
データシート
EDAモデル
ECCN
None
説明
TO-247-4 MOSFETs ROHS
この材料はカスタムケーブルをサポートしています!
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連絡先名
ビジネスメール
会社名
品質
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
数量単価合計価格
1+$28.9390$ 28.9390
30+$27.9356$ 838.0680
タイプ説明
すべて選択
カテゴリトランジスタ/スズリ ,MOSFET
データシートInventChip IV2Q12017T4Z
RoHS
RDS(オン)22mΩ
動作温度 --55℃~+175℃
逆移動容量(Crss@Vds)16.3pF
Pd - Power Dissipation469W
Drain to Source Voltage1.2kV
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))4.5V
Current - Continuous Drain(Id)118A
Ciss-Input Capacitance4.41nF
Output Capacitance(Coss)211pF
Gate Charge(Qg)214nC

ショッピングガイド

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