Recommonended For You
- ホーム /
- 商品 /
- トランジスタ/スズリ /
- MOSFET /
- InventChip IV2Q06025L1
画像は参考のみです
お気に入りに追加
InventChip IV2Q06025L1
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | IV2Q06025L1 |
| EBEE部品番号 | E822368183 |
| パッケージ | TOLL |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | None |
| 説明 | TOLL MOSFETs ROHS |
この材料はカスタムケーブルをサポートしています！
もっと見る >>在庫あり : お問い合わせください
RFQを送信してください。すぐに対応します。
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $20.4618 | $ 20.4618 |
| 10+ | $19.4824 | $ 194.8240 |
| 30+ | $17.7857 | $ 533.5710 |
| 100+ | $16.3051 | $ 1630.5100 |
おすすめ
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | トランジスタ/スズリ ,MOSFET | |
| データシート | InventChip IV2Q06025L1 | |
| RoHS | ||
| RDS(オン) | 33mΩ | |
| 動作温度 - | -55℃~+175℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 19pF | |
| Pd - Power Dissipation | 600W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 111A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3.09nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 251pF | |
| Gate Charge(Qg) | 125nC |
ショッピングガイド
展開
在庫あり : お問い合わせください
RFQを送信してください。すぐに対応します。
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $20.4618 | $ 20.4618 |
| 10+ | $19.4824 | $ 194.8240 |
| 30+ | $17.7857 | $ 533.5710 |
| 100+ | $16.3051 | $ 1630.5100 |
