Recommonended For You
- ホーム /
- 商品 /
- トランジスタ/スズリ /
- MOSFET /
- InventChip IV2Q06025D7Z
画像は参考のみです
お気に入りに追加
InventChip IV2Q06025D7Z
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | IV2Q06025D7Z |
| EBEE部品番号 | E822368184 |
| パッケージ | TO-263-7 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | None |
| 説明 | TO-263-7 MOSFETs ROHS |
この材料はカスタムケーブルをサポートしています！
もっと見る >>在庫あり : お問い合わせください
RFQを送信してください。すぐに対応します。
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $15.4130 | $ 15.4130 |
| 10+ | $14.6743 | $ 146.7430 |
| 30+ | $13.3960 | $ 401.8800 |
| 100+ | $12.2817 | $ 1228.1700 |
おすすめ
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | トランジスタ/スズリ ,MOSFET | |
| データシート | InventChip IV2Q06025D7Z | |
| RoHS | ||
| RDS(オン) | 33mΩ | |
| 動作温度 - | -55℃~+175℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 19pF | |
| Pd - Power Dissipation | 600W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 111A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3.09nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 251pF | |
| Gate Charge(Qg) | 125nC |
ショッピングガイド
展開
在庫あり : お問い合わせください
RFQを送信してください。すぐに対応します。
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $15.4130 | $ 15.4130 |
| 10+ | $14.6743 | $ 146.7430 |
| 30+ | $13.3960 | $ 401.8800 |
| 100+ | $12.2817 | $ 1228.1700 |
