| メーカー | |
| メーカー部品番号 | IRFR5505TRPBF |
| EBEE部品番号 | E826340 |
| パッケージ | TO-252 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 55V 18A 0.11Ω@10V,9.6A 57W 4V@250uA 1 Piece P-Channel TO-252-2(DPAK) MOSFETs ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3648 | $ 1.8240 |
| 50+ | $0.2867 | $ 14.3350 |
| 150+ | $0.2533 | $ 37.9950 |
| 500+ | $0.2115 | $ 105.7500 |
| 2000+ | $0.1930 | $ 386.0000 |
| 4000+ | $0.1818 | $ 727.2000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | トランジスタ/スズリ ,MOSFET | |
| データシート | Infineon Technologies IRFR5505TRPBF | |
| RoHS | ||
| タイプ | P-Channel | |
| RDS(オン) | 110mΩ@10V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 120pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 57W | |
| Drain to Source Voltage | 55V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 18A | |
| Ciss-Input Capacitance | 650pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 270pF | |
| Gate Charge(Qg) | 32nC@10V |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3648 | $ 1.8240 |
| 50+ | $0.2867 | $ 14.3350 |
| 150+ | $0.2533 | $ 37.9950 |
| 500+ | $0.2115 | $ 105.7500 |
| 2000+ | $0.1930 | $ 386.0000 |
| 4000+ | $0.1818 | $ 727.2000 |
