| メーカー | |
| メーカー部品番号 | IRFB4110PBF |
| EBEE部品番号 | E82650 |
| パッケージ | TO-220 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 100V 180A 4.5mΩ@10V,75A 370W 4V@250uA 1 N-Channel TO-220 MOSFETs ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.7463 | $ 0.7463 |
| 10+ | $0.6478 | $ 6.4780 |
| 50+ | $0.5161 | $ 25.8050 |
| 100+ | $0.4589 | $ 45.8900 |
| 600+ | $0.4398 | $ 263.8800 |
| 900+ | $0.4287 | $ 385.8300 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | トランジスタ/スズリ ,MOSFET | |
| データシート | Infineon Technologies IRFB4110PBF | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 4.5mΩ@10V | |
| 動作温度 - | -55℃~+175℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 250pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 370W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 180A | |
| Ciss-Input Capacitance | 9.62nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 670pF | |
| Gate Charge(Qg) | 210nC@10V |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.7463 | $ 0.7463 |
| 10+ | $0.6478 | $ 6.4780 |
| 50+ | $0.5161 | $ 25.8050 |
| 100+ | $0.4589 | $ 45.8900 |
| 600+ | $0.4398 | $ 263.8800 |
| 900+ | $0.4287 | $ 385.8300 |
