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Infineon Technologies IRF3205PBF
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | IRF3205PBF |
| EBEE部品番号 | E82561 |
| パッケージ | TO-220AB |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 55V 110A 8mΩ@10V,62A 200W 4V@250uA 1 N-Channel TO-220AB MOSFETs ROHS |
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734 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4114 | $ 0.4114 |
| 10+ | $0.3246 | $ 3.2460 |
| 50+ | $0.2797 | $ 13.9850 |
| 100+ | $0.2427 | $ 24.2700 |
| 500+ | $0.2314 | $ 115.7000 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | トランジスタ/スズリ ,MOSFET | |
| データシート | Infineon Technologies IRF3205PBF | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 8mΩ@10V | |
| 動作温度 - | -55℃~+175℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 211pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 200W | |
| Drain to Source Voltage | 55V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 110A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3.247nF | |
| Gate Charge(Qg) | 146nC@10V |
ショッピングガイド
展開
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4114 | $ 0.4114 |
| 10+ | $0.3246 | $ 3.2460 |
| 50+ | $0.2797 | $ 13.9850 |
| 100+ | $0.2427 | $ 24.2700 |
| 500+ | $0.2314 | $ 115.7000 |
| 1000+ | $0.2250 | $ 225.0000 |
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