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Infineon Technologies IGW25T120
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | IGW25T120 |
| EBEE部品番号 | E8536094 |
| パッケージ | TO-247-3 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | TO-247-3 IGBT Transistors / Modules ROHS |
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153 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $4.2864 | $ 4.2864 |
| 10+ | $4.0863 | $ 40.8630 |
| 30+ | $3.9670 | $ 119.0100 |
| 90+ | $3.8459 | $ 346.1310 |
| 510+ | $3.7895 | $ 1932.6450 |
| 990+ | $3.7637 | $ 3726.0630 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,IGBTs ,Single IGBTs | |
| データシート | Infineon IGW25T120 | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -40℃~+150℃ | |
| コレクター-エミッター故障電圧(Vces) | 1.2kV | |
| ゲートエミッター スレホールド電圧(Vge(th)@Ic) | 5V@1mA | |
| Pd - Power Dissipation | 190W | |
| IGBT Type | FS (Field Stop) | |
| Gate Charge(Qg) | 155nC@15V | |
| Td(off) | 560ns | |
| Td(on) | 50ns | |
| Reverse Transfer Capacitance (Cres) | 82pF | |
| Switching Energy(Eoff) | 2.2mJ | |
| Turn-On Energy (Eon) | 2mJ | |
| Output Capacitance(Coes) | 96pF |
ショッピングガイド
展開
153 Stock for Shipping Fast
153 available for immediate shipping1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $4.2864 | $ 4.2864 |
| 10+ | $4.0863 | $ 40.8630 |
| 30+ | $3.9670 | $ 119.0100 |
| 90+ | $3.8459 | $ 346.1310 |
| 510+ | $3.7895 | $ 1932.6450 |
| 990+ | $3.7637 | $ 3726.0630 |
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