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Hangzhou Silan Microelectronics SGT50T65FD1PN
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | SGT50T65FD1PN |
| EBEE部品番号 | E82761787 |
| パッケージ | TO-3P-3 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | TO-3P-3 IGBT Transistors / Modules ROHS |
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もっと見る >>5367 在庫あり 即時出荷可能
5367 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.2575 | $ 1.2575 |
| 10+ | $1.0638 | $ 10.6380 |
| 30+ | $0.8526 | $ 25.5780 |
| 90+ | $0.7320 | $ 65.8800 |
| 510+ | $0.6796 | $ 346.5960 |
| 1200+ | $0.6542 | $ 785.0400 |
数量が多い場合の最良価格？
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,IGBTs ,Single IGBTs | |
| データシート | Hangzhou Silan Microelectronics SGT50T65FD1PN | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -55℃~+150℃ | |
| コレクター-エミッター故障電圧(Vces) | 650V | |
| ゲートエミッター スレホールド電圧(Vge(th)@Ic) | 5V | |
| Pd - Power Dissipation | 235W | |
| IGBT Type | FS (Field Stop) | |
| Gate Charge(Qg) | 46nC@15V | |
| Td(off) | 130ns | |
| Td(on) | 45ns | |
| Reverse Transfer Capacitance (Cres) | 42pF | |
| Reverse Recovery Time(trr) | 33ns | |
| Switching Energy(Eoff) | 3.8mJ | |
| Turn-On Energy (Eon) | 1mJ | |
| Input Capacitance(Cies) | 4.5nF | |
| Pulsed Current- Forward(Ifm) | - | |
| Output Capacitance(Coes) | 100pF |
ショッピングガイド
展開
5367 Stock for Shipping Fast
5367 available for immediate shipping1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.2575 | $ 1.2575 |
| 10+ | $1.0638 | $ 10.6380 |
| 30+ | $0.8526 | $ 25.5780 |
| 90+ | $0.7320 | $ 65.8800 |
| 510+ | $0.6796 | $ 346.5960 |
| 1200+ | $0.6542 | $ 785.0400 |
数量が多い場合の最良価格？
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