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Infineon Technologies IDK08G65C5XTMA2
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | IDK08G65C5XTMA2 |
| EBEE部品番号 | E83758485 |
| パッケージ | TO-263-2 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 650V 1.8V@8A 8A TO-263-2 SiC Diodes ROHS |
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | 炭化ケイ素(SiC)デバイス ,SiCダイオード | |
| データシート | Infineon Technologies IDK08G65C5XTMA2 | |
| RoHS | ||
| 逆の漏出流れ(Ir) | 140uA@650V | |
| 電圧 - DC 逆(Vr)(最大) | 650V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.8V@8A | |
| Current - Rectified | 8A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 68A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
ショッピングガイド
展開
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