| メーカー | |
| メーカー部品番号 | IDH04SG60C |
| EBEE部品番号 | E85361092 |
| パッケージ | TO-220-2 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | TO-220-2 SiC Diodes ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.3023 | $ 2.3023 |
| 10+ | $1.8814 | $ 18.8140 |
| 50+ | $1.6174 | $ 80.8700 |
| 100+ | $1.3473 | $ 134.7300 |
| 500+ | $1.2251 | $ 612.5500 |
| 1000+ | $1.1723 | $ 1172.3000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | 炭化ケイ素(SiC)デバイス ,SiCダイオード | |
| データシート | Infineon Technologies IDH04SG60C | |
| RoHS | ||
| 逆の漏出流れ(Ir) | 25uA@600V | |
| 電圧 - DC 逆(Vr)(最大) | 600V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 2.3V@4A | |
| Current - Rectified | 4A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 120A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.3023 | $ 2.3023 |
| 10+ | $1.8814 | $ 18.8140 |
| 50+ | $1.6174 | $ 80.8700 |
| 100+ | $1.3473 | $ 134.7300 |
| 500+ | $1.2251 | $ 612.5500 |
| 1000+ | $1.1723 | $ 1172.3000 |
