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Infineon Technologies IDH04G65C6XKSA1
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | IDH04G65C6XKSA1 |
| EBEE部品番号 | E86577446 |
| パッケージ | TO-220-2 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 650V 1.35V@4A 12A TO-220-2 SiC Diodes ROHS |
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36 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.6975 | $ 1.6975 |
| 10+ | $1.4467 | $ 14.4670 |
| 50+ | $1.2905 | $ 64.5250 |
| 100+ | $1.1312 | $ 113.1200 |
| 500+ | $1.0586 | $ 529.3000 |
| 1000+ | $1.0271 | $ 1027.1000 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | 炭化ケイ素(SiC)デバイス ,SiCダイオード | |
| データシート | Infineon Technologies IDH04G65C6XKSA1 | |
| RoHS | ||
| 逆の漏出流れ(Ir) | 14uA@420V | |
| 電圧 - DC 逆(Vr)(最大) | 650V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.35V@4A | |
| Current - Rectified | 12A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 29A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
ショッピングガイド
展開
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.6975 | $ 1.6975 |
| 10+ | $1.4467 | $ 14.4670 |
| 50+ | $1.2905 | $ 64.5250 |
| 100+ | $1.1312 | $ 113.1200 |
| 500+ | $1.0586 | $ 529.3000 |
| 1000+ | $1.0271 | $ 1027.1000 |
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