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HXY MOSFET SI2302-HXY
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | SI2302-HXY |
| EBEE部品番号 | E84748714 |
| パッケージ | SOT-23 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | 20V 2.8A 55mΩ@4.5V,2.8A 900mW 1.2V@250uA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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265200 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 100+ | $0.0139 | $ 1.3900 |
| 1000+ | $0.0113 | $ 11.3000 |
| 3000+ | $0.0088 | $ 26.4000 |
| 9000+ | $0.0080 | $ 72.0000 |
| 51000+ | $0.0072 | $ 367.2000 |
| 99000+ | $0.0068 | $ 673.2000 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Transistors/Thyristors ,MOSFETs | |
| データシート | HXY MOSFET SI2302-HXY | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 55mΩ@4.5V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 27pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 900mW | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 2.8A | |
| Ciss-Input Capacitance | 260pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
ショッピングガイド
展開
265200 Stock for Shipping Fast
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 100+ | $0.0139 | $ 1.3900 |
| 1000+ | $0.0113 | $ 11.3000 |
| 3000+ | $0.0088 | $ 26.4000 |
| 9000+ | $0.0080 | $ 72.0000 |
| 51000+ | $0.0072 | $ 367.2000 |
| 99000+ | $0.0068 | $ 673.2000 |
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