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HXY MOSFET HC4D20120D
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | HC4D20120D |
| EBEE部品番号 | E819723888 |
| パッケージ | TO-247-3L |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | 1.2kV 1 pair of common cathodes 1.5V@10A TO-247-3L SiC Diodes ROHS |
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49 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.6201 | $ 2.6201 |
| 10+ | $2.2457 | $ 22.4570 |
| 30+ | $1.9817 | $ 59.4510 |
| 90+ | $1.7572 | $ 158.1480 |
| 510+ | $1.6526 | $ 842.8260 |
| 990+ | $1.6061 | $ 1590.0390 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Silicon Carbide (SiC) Devices ,SiC Diodes | |
| データシート | HXY MOSFET HC4D20120D | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 250uA@1200V | |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1.2kV | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.5V@10A | |
| Current - Rectified | 34A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
ショッピングガイド
展開
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.6201 | $ 2.6201 |
| 10+ | $2.2457 | $ 22.4570 |
| 30+ | $1.9817 | $ 59.4510 |
| 90+ | $1.7572 | $ 158.1480 |
| 510+ | $1.6526 | $ 842.8260 |
| 990+ | $1.6061 | $ 1590.0390 |
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