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HXY MOSFET HC4D15120H


メーカー
メーカー部品番号
HC4D15120H
EBEE部品番号
E819723887
パッケージ
TO-247-2L
顧客番号
データシート
EDAモデル
ECCN
-
説明
1.2kV 1.5V@15A Independent Type TO-247-2L SiC Diodes ROHS
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97 在庫あり 即時出荷可能
97 即時出荷可能
1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
数量単価合計価格
1+$2.2731$ 2.2731
10+$1.9289$ 19.2890
30+$1.6798$ 50.3940
90+$1.4584$ 131.2560
510+$1.3585$ 692.8350
990+$1.3165$ 1303.3350
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$
タイプ説明
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カテゴリSilicon Carbide (SiC) Devices ,SiC Diodes
データシートHXY MOSFET HC4D15120H
RoHS
Reverse Leakage Current (Ir)200uA@1200V
Diode ConfigurationIndependent
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)1.2kV
Voltage - Forward(Vf@If)1.5V@15A
Current - Rectified39A
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current87A
Operating Junction Temperature Range-55℃~+175℃

ショッピングガイド

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