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HXY MOSFET HC4D08120A
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | HC4D08120A |
| EBEE部品番号 | E819723883 |
| パッケージ | TO-220-2L |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | 1.2kV Independent Type 1.5V@8A TO-220-2L SiC Diodes ROHS |
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14 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.2700 | $ 1.2700 |
| 10+ | $1.0788 | $ 10.7880 |
| 50+ | $0.9330 | $ 46.6500 |
| 100+ | $0.8110 | $ 81.1000 |
| 500+ | $0.7549 | $ 377.4500 |
| 1000+ | $0.7312 | $ 731.2000 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Silicon Carbide (SiC) Devices ,SiC Diodes | |
| データシート | HXY MOSFET HC4D08120A | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 250uA@1200V | |
| Diode Configuration | Independent | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1.2kV | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.5V@8A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 64A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
ショッピングガイド
展開
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
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|---|---|---|
| 1+ | $1.2700 | $ 1.2700 |
| 10+ | $1.0788 | $ 10.7880 |
| 50+ | $0.9330 | $ 46.6500 |
| 100+ | $0.8110 | $ 81.1000 |
| 500+ | $0.7549 | $ 377.4500 |
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