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HXY MOSFET HC3D10120E
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | HC3D10120E |
| EBEE部品番号 | E822449568 |
| パッケージ | TO-252-2L |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | 1200V Independent Type 1.4V@2A TO-252-2L SiC Diodes ROHS |
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.9383 | $ 2.9383 |
| 10+ | $2.5127 | $ 25.1270 |
| 30+ | $2.2584 | $ 67.7520 |
| 100+ | $2.0028 | $ 200.2800 |
| 500+ | $1.8845 | $ 942.2500 |
| 1000+ | $1.8315 | $ 1831.5000 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Silicon Carbide (SiC) Devices ,SiC Diodes | |
| データシート | HXY MOSFET HC3D10120E | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 100uA@1200V | |
| Diode Configuration | Independent | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1.2kV | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.4V@2A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 90A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
ショッピングガイド
展開
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.9383 | $ 2.9383 |
| 10+ | $2.5127 | $ 25.1270 |
| 30+ | $2.2584 | $ 67.7520 |
| 100+ | $2.0028 | $ 200.2800 |
| 500+ | $1.8845 | $ 942.2500 |
| 1000+ | $1.8315 | $ 1831.5000 |
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