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HXY MOSFET HC3D10065E
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | HC3D10065E |
| EBEE部品番号 | E822449557 |
| パッケージ | TO-252-2L |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | 650V Independent Type 1.3V@10A TO-252-2L SiC Diodes ROHS |
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121 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.2467 | $ 2.2467 |
| 10+ | $1.9100 | $ 19.1000 |
| 30+ | $1.6990 | $ 50.9700 |
| 100+ | $1.4824 | $ 148.2400 |
| 500+ | $1.3860 | $ 693.0000 |
| 1000+ | $1.3427 | $ 1342.7000 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Silicon Carbide (SiC) Devices ,SiC Diodes | |
| データシート | HXY MOSFET HC3D10065E | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 50uA@650V | |
| Diode Configuration | 1 Independent | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.3V@10A | |
| Current - Rectified | 30A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 80A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
ショッピングガイド
展開
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.2467 | $ 2.2467 |
| 10+ | $1.9100 | $ 19.1000 |
| 30+ | $1.6990 | $ 50.9700 |
| 100+ | $1.4824 | $ 148.2400 |
| 500+ | $1.3860 | $ 693.0000 |
| 1000+ | $1.3427 | $ 1342.7000 |
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