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HXY MOSFET HC3D08065A
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | HC3D08065A |
| EBEE部品番号 | E822449556 |
| パッケージ | TO-220-2L |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | 650V Independent Type 1.3V@8A TO-220-2L SiC Diodes ROHS |
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4 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.9978 | $ 0.9978 |
| 10+ | $0.8241 | $ 8.2410 |
| 50+ | $0.7304 | $ 36.5200 |
| 100+ | $0.6231 | $ 62.3100 |
| 500+ | $0.5757 | $ 287.8500 |
| 1000+ | $0.5540 | $ 554.0000 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Silicon Carbide (SiC) Devices ,SiC Diodes | |
| データシート | HXY MOSFET HC3D08065A | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 50uA@650V | |
| Diode Configuration | Independent | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.3V@8A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 64A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
ショッピングガイド
展開
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.9978 | $ 0.9978 |
| 10+ | $0.8241 | $ 8.2410 |
| 50+ | $0.7304 | $ 36.5200 |
| 100+ | $0.6231 | $ 62.3100 |
| 500+ | $0.5757 | $ 287.8500 |
| 1000+ | $0.5540 | $ 554.0000 |
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