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HXY MOSFET HC3D06065E
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | HC3D06065E |
| EBEE部品番号 | E822449555 |
| パッケージ | TO-252-2L |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | 650V Independent Type 1.3V@6A TO-252-2L SiC Diodes ROHS |
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145 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3609 | $ 1.3609 |
| 10+ | $1.1387 | $ 11.3870 |
| 30+ | $1.0172 | $ 30.5160 |
| 100+ | $0.8803 | $ 88.0300 |
| 500+ | $0.8188 | $ 409.4000 |
| 1000+ | $0.7909 | $ 790.9000 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Silicon Carbide (SiC) Devices ,SiC Diodes | |
| データシート | HXY MOSFET HC3D06065E | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 50uA@650V | |
| Diode Configuration | Independent | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.3V@6A | |
| Current - Rectified | 23A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 48A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
ショッピングガイド
展開
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
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| 1+ | $1.3609 | $ 1.3609 |
| 10+ | $1.1387 | $ 11.3870 |
| 30+ | $1.0172 | $ 30.5160 |
| 100+ | $0.8803 | $ 88.0300 |
| 500+ | $0.8188 | $ 409.4000 |
| 1000+ | $0.7909 | $ 790.9000 |
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