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HXY MOSFET HC3D04065E


メーカー
メーカー部品番号
HC3D04065E
EBEE部品番号
E822449553
パッケージ
TO-252-2L
顧客番号
データシート
EDAモデル
ECCN
-
説明
650V Independent Type 1.3V@4A TO-252-2L SiC Diodes ROHS
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403 在庫あり 即時出荷可能
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
数量単価合計価格
1+$0.8948$ 0.8948
10+$0.7486$ 7.4860
30+$0.6668$ 20.0040
100+$0.5759$ 57.5900
500+$0.5351$ 267.5500
1000+$0.5166$ 516.6000
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$
タイプ説明
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カテゴリSilicon Carbide (SiC) Devices ,SiC Diodes
データシートHXY MOSFET HC3D04065E
RoHS
Reverse Leakage Current (Ir)50uA@650V
Diode ConfigurationIndependent
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)650V
Voltage - Forward(Vf@If)1.3V@4A
Current - Rectified14A
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current36A
Operating Junction Temperature Range-55℃~+175℃

ショッピングガイド

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