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HXY MOSFET HC3D04065A
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | HC3D04065A |
| EBEE部品番号 | E822449552 |
| パッケージ | TO-220-2L |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | 650V Independent Type 1.3V@4A TO-220-2L SiC Diodes ROHS |
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5 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.6850 | $ 0.6850 |
| 10+ | $0.5517 | $ 5.5170 |
| 50+ | $0.4850 | $ 24.2500 |
| 100+ | $0.4184 | $ 41.8400 |
| 500+ | $0.3790 | $ 189.5000 |
| 1000+ | $0.3579 | $ 357.9000 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Silicon Carbide (SiC) Devices ,SiC Diodes | |
| データシート | HXY MOSFET HC3D04065A | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 10uA@650V | |
| Diode Configuration | Independent | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.3V@4A |
ショッピングガイド
展開
5 Stock for Shipping Fast
5 available for immediate shipping1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.6850 | $ 0.6850 |
| 10+ | $0.5517 | $ 5.5170 |
| 50+ | $0.4850 | $ 24.2500 |
| 100+ | $0.4184 | $ 41.8400 |
| 500+ | $0.3790 | $ 189.5000 |
| 1000+ | $0.3579 | $ 357.9000 |
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