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HXY MOSFET HC1D08065N
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | HC1D08065N |
| EBEE部品番号 | E841428798 |
| パッケージ | QPFN-8(5x6) |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | QPFN-8(5x6) SiC Diodes ROHS |
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97 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $3.4218 | $ 3.4218 |
| 10+ | $2.9256 | $ 29.2560 |
| 30+ | $2.6305 | $ 78.9150 |
| 100+ | $2.3315 | $ 233.1500 |
| 500+ | $2.1939 | $ 1096.9500 |
| 1000+ | $2.1317 | $ 2131.7000 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Silicon Carbide (SiC) Devices ,SiC Diodes | |
| データシート | HXY MOSFET HC1D08065N | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 50uA@650V | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.55V@8A | |
| Current - Rectified | 30A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 55A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
ショッピングガイド
展開
97 Stock for Shipping Fast
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $3.4218 | $ 3.4218 |
| 10+ | $2.9256 | $ 29.2560 |
| 30+ | $2.6305 | $ 78.9150 |
| 100+ | $2.3315 | $ 233.1500 |
| 500+ | $2.1939 | $ 1096.9500 |
| 1000+ | $2.1317 | $ 2131.7000 |
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