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HXY MOSFET HC1D08065F


メーカー
メーカー部品番号
HC1D08065F
EBEE部品番号
E841428794
パッケージ
TO-220F-2L
顧客番号
データシート
EDAモデル
ECCN
-
説明
TO-220F-2L SiC Diodes ROHS
この材料はカスタムケーブルをサポートしています!
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3 在庫あり 即時出荷可能
3 即時出荷可能
1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
数量単価合計価格
1+$1.7077$ 1.7077
10+$1.4462$ 14.4620
50+$1.2812$ 64.0600
100+$1.1131$ 111.3100
500+$1.0368$ 518.4000
1000+$1.0041$ 1004.1000
数量が多い場合の最良価格?
$
タイプ説明
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カテゴリSilicon Carbide (SiC) Devices ,SiC Diodes
データシートHXY MOSFET HC1D08065F
RoHS
Reverse Leakage Current (Ir)50uA@650V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)650V
Voltage - Forward(Vf@If)1.3V@8A
Current - Rectified19A
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current64A
Operating Junction Temperature Range-55℃~+175℃

ショッピングガイド

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