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HXY MOSFET HC1D08065E
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | HC1D08065E |
| EBEE部品番号 | E841428786 |
| パッケージ | TO-252-2L |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | TO-252-2L SiC Diodes ROHS |
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192 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.5489 | $ 1.5489 |
| 10+ | $1.2964 | $ 12.9640 |
| 30+ | $1.1577 | $ 34.7310 |
| 100+ | $1.0011 | $ 100.1100 |
| 500+ | $0.9318 | $ 465.9000 |
| 1000+ | $0.8993 | $ 899.3000 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Silicon Carbide (SiC) Devices ,SiC Diodes | |
| データシート | HXY MOSFET HC1D08065E | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 50uA@650V | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.3V@8A | |
| Current - Rectified | 30A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 64A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
ショッピングガイド
展開
192 Stock for Shipping Fast
192 available for immediate shipping1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.5489 | $ 1.5489 |
| 10+ | $1.2964 | $ 12.9640 |
| 30+ | $1.1577 | $ 34.7310 |
| 100+ | $1.0011 | $ 100.1100 |
| 500+ | $0.9318 | $ 465.9000 |
| 1000+ | $0.8993 | $ 899.3000 |
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