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HXY MOSFET HC1D06065N


メーカー
メーカー部品番号
HC1D06065N
EBEE部品番号
E841428799
パッケージ
QPFN-8(5x6)
顧客番号
データシート
EDAモデル
ECCN
-
説明
QPFN-8(5x6) SiC Diodes ROHS
この材料はカスタムケーブルをサポートしています!
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6 在庫あり 即時出荷可能
6 即時出荷可能
1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
数量単価合計価格
1+$0.8451$ 0.8451
10+$0.6824$ 6.8240
30+$0.6010$ 18.0300
100+$0.5212$ 52.1200
500+$0.4617$ 230.8500
1000+$0.4367$ 436.7000
数量が多い場合の最良価格?
$
タイプ説明
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カテゴリSilicon Carbide (SiC) Devices ,SiC Diodes
データシートHXY MOSFET HC1D06065N
RoHS
Reverse Leakage Current (Ir)50uA@650V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)650V
Voltage - Forward(Vf@If)1.3V@6A
Current - Rectified23A
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current48A
Operating Junction Temperature Range-55℃~+175℃

ショッピングガイド

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