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HXY MOSFET HC1D04065F
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | HC1D04065F |
| EBEE部品番号 | E841428795 |
| パッケージ | TO-220F-2L |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | TO-220F-2L SiC Diodes ROHS |
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68 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.9628 | $ 0.9628 |
| 10+ | $0.8078 | $ 8.0780 |
| 50+ | $0.7126 | $ 35.6300 |
| 100+ | $0.6161 | $ 61.6100 |
| 500+ | $0.5742 | $ 287.1000 |
| 1000+ | $0.5538 | $ 553.8000 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Silicon Carbide (SiC) Devices ,SiC Diodes | |
| データシート | HXY MOSFET HC1D04065F | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 10uA@650V | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.3V@4A | |
| Current - Rectified | 10A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 36A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
ショッピングガイド
展開
68 Stock for Shipping Fast
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.9628 | $ 0.9628 |
| 10+ | $0.8078 | $ 8.0780 |
| 50+ | $0.7126 | $ 35.6300 |
| 100+ | $0.6161 | $ 61.6100 |
| 500+ | $0.5742 | $ 287.1000 |
| 1000+ | $0.5538 | $ 553.8000 |
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